台积电全新A14传统晶体管的极限！3nm已量产
4月24日消息，台积电在美国举办的北美技术论坛2025上，️正式公布了全新的14A 1.4nm级工艺，预计2028年上半年量产，从命名到技术直接对标Intel 14A，后者同样号称1.4nm级工艺。
台积电称，️A14是全新升级的一代工艺节点(非过渡型)，对比N2 2nm级工艺，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，逻辑晶体管密度提升最多约23％，芯片密度提升最多约20％。
技术方面，台积电A14升级️第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，以及新的标准单元架构NanoFlex Pro，后者可以在设计芯片的时候，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积(PPA)。
台积电A14同时还有新的IP、优化、EDA设计软件，这些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。
遗憾的是，台积电A14首发的时候没有Super Power Rail(SPR)背部供电网络(BSPDN)，这一点和自家的A16、Intel A18/A14截然不同，倒是和自己的N2、N2P一样。
不过，台积电承诺️会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。
升级版A14暂时没有名字，可能会叫做A14P。
后期还有可能会演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。
哦对了，台积电的A16、N2P工艺预计2026年下半年量产。
Intel代工在去年2月份成立的时候，宣布了自己的A14 1.4nm级工艺，业界首次采用全新的High NA EUV光刻机，预计2026年左右推出，届时又是棋逢对手。
最后透露个小秘密，Intel代工将在下周举办新一届大会，公布最新进展，届时我将为大家带来现场一手报道，欢迎关注。
除了发展N2、A16、A14等采用GAAFET全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统FinFET立体晶体管的极限，最后一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。
在美国举办的北美技术论坛2025上，台积电最新宣布，️3nm级工艺的第三代N3P已经在2024年第四季度投入量产，第四代N3X则会在今年下半年投产。
N3P就是第二代N3E的升级版，面向需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持IP与设计兼容。
按照官方数据，️N3P同等功耗下的性能可再提升约5％，而同等性能下的功耗可再降低5-10％，另外晶体管密度提升4％，尤其是SRAM缩放的提升较为明显。
苹果M3/M4、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等都用的N3E工艺，不知道今年的升级换代会不会都上N3P？还是直奔N2？
️N3X则是N3P的再次升级版，可继续将同等功耗性能提升5％，同等性能功耗降低7％。
更关键的是，N3X支持最高达1.2V的电压，从而将频率、性能挖掘到极致，但代价就是漏电率骤然增大最多250％，因此芯片设计要非常慎重。
根据路线图，️台积电N3明年还会有N3A、N3C两个版本，但未做具体介绍，从定位看N3C是超低成本，定位很低。
PS：台积电N3其实还有个特殊版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。
