矽源特ChipSourceTek-PE83H5PT是VDS=30V, ID=150A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-263封装。

05月19日TheMosfetTrench电源and0评

矽源特ChipSourceTek-PE60P80G是VDS=-60V, ID=-80A,RDS(ON)<15mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供DFN5x6-8

05月18日特性功率设计Mosfet控制0评

矽源特ChipSourceTek-PE83H3K是VDS=30V, ID=120A,RDS(ON)<2.8mΩ@VGS=10V,RDS(ON)<4.6mΩ@VGS=4.5V的N沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2L封

05月17日TheMosfet电源and增强型0评

矽源特ChipSourceTek-PE60P50K是VDS=-60V, ID=-50A,RDS(ON)<25mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<32mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

05月12日TheMosfetand增强型Lead0评

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

05月11日TheMosfetand增强型Lead0评

矽源特ChipSourceTek-PE60P20K是VDS=-60V, ID=20A,RDS(ON)<80mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<115mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供TO-252-2

05月11日立体迷宫电流Mosfet技术电源0评

矽源特ChipSourceTek-PE40P95G是VDS=-40V, ID=-95A,RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=-10V,RDS(ON)<8mΩ@VGS=-4.5V的P沟道增强型电源Mosfet。提供PDFN5x6-

04月25日TheMosfetTrenchand增强型0评

矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。

03月07日withMosfetLowand增强型0评

矽源特ChipSourceTek-PE40P08S是SOP8封装,40V, 8A的P-源Mosfet

03月02日特性栅极Mosfet器件电路0评