HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度

01月28日HBM40评

消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片

01月28日三星电子HBM40评

消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

01月28日三星电子HBM4DRAM内存0评