TrendForce：2025 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持

01月28日内存DRAM0评

TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域

01月28日DRAMddr40评

消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆

01月28日三星电子DRAM内存0评

南亚科技宣布同补丁科技就定制超高带宽内存开发达成战略合作

01月28日南亚科技内存DRAM0评

集邦咨询：库存高企需求疲软，2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%、DRAM 降 8~13%

01月28日半导体NANDDRAM集邦咨询0评

美光加速 EUV 技术攻坚，1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产

01月28日美光量产DRAM0评

TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

01月28日内存闪存HBMDRAMNAND0评

TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

01月28日内存DRAM0评

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运

01月28日三星内存DRAM0评

TrendForce：2025 年第二季内存产业营收 229 亿美元，环比增 20.4%，同比翻倍

01月28日内存DRAMTrendForce集邦咨询0评

赔偿 7.535 亿欧元，英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解

01月28日奇梦达英飞凌内存DRAM0评

消费电子旺季遇冷，消息称内存模组一哥金士顿针对部分中低端产品降价

01月28日金士顿内存内存条DRAM0评

消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

01月28日三星电子HBM4DRAM内存0评

面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

01月28日铠侠南亚科技DRAM内存0评

TrendForce：第三季度 DRAM 内存产业营收 260.2 亿美元，环比增长 13.6%

01月28日DRAM内存NAND芯片0评

消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购，明年 2 月引进

01月28日三星电子DRAM内存0评

TrendForce：预估一般型 DRAM 内存 2025 年一季度合约价下跌 8%~13%

01月28日TrendForce集邦咨询DRAM内存0评

鼓励多技术路线探索，消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

01月28日三星电子内存DRAM0评