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MoGe
半导体欧姆接触工艺 | MoGe₂P₄实现超低接触电阻的TLM验证
本文通过第一性原理计算,系统揭示MoGe₂P₄与六种金属(In、Ag、Au、Cu、Pd、Pt)的界面特性,阐明其超低接触电阻的物理机制。隧穿特性与接触电阻 (a)-(f) MGP–金属接触沿z轴的有效静电…
原子级
优化结构
MoGe
半导体
材料
fjmyhfvclm
13小时前
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