功率器件键合强度如何评估?Alpha W260推拉力测试机全解析
功率半导体器件广泛应用于新能源、电动汽车、工业控制等领域,其可靠性直接影响整个系统的性能。科准测控小编认为,随着功率器件向高功率密度、高集成度方向发展,封装工艺和键合质量对器件可靠性的影响愈发显著。失效分析是提升功率半导体器件可靠性的关键手段,而力学性能测试(如推拉力测试)是评估键合强度、芯片粘接质量的重要方法。
本文科准测控小编将围绕功率半导体器件的失效分析,重点介绍Alpha W260推拉力测试机的原理、测试标准、仪器特点及测试流程,帮助工程师系统掌握键合强度测试方法,准确识别封装工艺缺陷,优化产品可靠性设计。
一、功率半导体器件失效分析概述
1、失效模式分类
功率半导体器件的失效模式主要包括:
开路失效(键合脱落、焊料层断裂、铝线断裂等)
短路失效(键合线短路、芯片裂纹导致击穿等)
参数漂移(热阻增大、接触电阻变化等)
机械失效(芯片破裂、封装分层等)
其中,键合失效(如焊点脱落、引线断裂)是最常见的失效模式之一,通常需要通过推拉测试进行定量分析。
二、推拉力测试原理与标准
1、 推拉力测试原理
推拉力测试(Bond Pull Test / Shear Test)是一种破坏性力学测试方法,用于评估:
a、键合线拉力强度(Wire Bond Pull Test)
b、芯片焊接剪切强度(Die Shear Test)
2、测试原理
拉力测试:使用精密钩针钩住键合线,施加垂直拉力,测量键合点断裂时的最大拉力(单位:gf或N)。
剪切测试:使用测力探针对芯片边缘施加水平推力,测量芯片脱离基板所需的最大剪切力。
3、测试标准
常用国际标准包括:
MIL-STD-883(美国军用标准)
JEDEC JESD22-B104(键合拉力测试)
JESD22-B109(芯片剪切测试)
IPC-9701(电子组件可靠性测试)
典型验收标准(以金线键合为例):
若测试值低于标准,则判定为键合不良,可能原因包括:
键合参数(温度、压力、超声能量)不当
表面污染(氧化、有机物残留)
材料不匹配(线材与焊盘金属化层结合差)
三、检测设备和工具
1、Alpha W260推拉力测试仪
Alpha W260推拉力测试仪是评估导电银胶力学性能的专业设备,具有以下特点:
高精度测量:采用24Bit超高分辨率数据采集系统,确保测试数据的高精度、高重复性和高再现性。
多功能测试:支持推力、拉力、剪切力等多种测试模式,适用于多种封装形式和测试需求。
智能化操作:配备摇杆操作和X、Y轴自动工作台,简化了测试流程,提高了测试效率。
安全设计:每个工位均设有独立安全高度和限速,有效防止误操作对设备和样品的损坏。
模块化设计:能够自动识别并更换不同量程的测试模组,适应不同产品的测试需求。
2、推刀或钩针
3、常用工装夹具
四、测试流程
步骤一、样品准备
确认待测器件封装类型(如TO-247、QFN、BGA等)。
使用显微镜检查键合点状态,避免测试已受损样品。
步骤二、设备校准
根据标准砝码校准力传感器,确保测试精度。
步骤三、测试模式选择
拉力测试:适用于键合线强度评估。
剪切测试:适用于芯片焊接质量评估。
步骤四、测试执行
自动或手动定位测试点。
设定测试速度(通常50-500 μm/s)。
记录断裂力值及失效模式(如焊盘脱落、线颈断裂等)。
步骤五、数据分析
统计拉力/剪切力分布,计算CPK(过程能力指数)。
结合失效模式,优化键合工艺参数。
五、典型失效案例分析
1、键合拉力不足
现象:测试值低于标准,键合点易脱落。
原因:超声能量不足、焊盘污染、温度过低。
解决方案:优化键合机参数,提高表面清洁度。
2、芯片剪切力低
现象:芯片易从基板脱落。
原因:焊料层空洞、固化不足、CTE不匹配。
解决方案:改善焊接工艺,增加焊料厚度(BLT)。
以上就是小编介绍的有关于功率半导体器件的失效分析的相关内容了,希望可以给大家带来帮助!如果您还想了解更多关于功率半导体器件的失效分析实验报告、失效分析方法和功率损耗,推拉力测试机怎么使用视频和图解,使用步骤及注意事项、作业指导书,原理、怎么校准和使用方法视频,推拉力测试仪操作规范、使用方法和测试视频 ,焊接强度测试仪使用方法和键合拉力测试仪等问题,欢迎您关注我们,也可以给我们私信和留言,【科准测控】小编将持续为大家分享推拉力测试机在锂电池电阻、晶圆、硅晶片、IC半导体、BGA元件焊点、ALMP封装、微电子封装、LED封装、TO封装等领域应用中可能遇到的问题及解决方案。