华进半导体封装先导技术研发中心申请TGV扇出封装结构及其制造方法专利，减小封装厚度增加信号传输速率

金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种TGV扇出封装结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119764293 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种TGV扇出封装结构及其制造方法。该结构包括：第一基板，其中布置通孔以及开槽所述通孔贯穿所述第一基板；通孔填充物，其填充在所述通孔中；功能器件，其布置在所述开槽中；第一重布线层，其布置在所述第一基板之下；第一连接结构，其与所述第一重布线层电连接；第二重布线层，其布置在所述第一基板之上；第二连接结构，其与所述第二重布线层电连接；焊球，其布置在所述第二连接结构之上，并与所述第二连接结构电连接。本发明提供的TGV扇出封装结构，将功能器件布置在玻璃基板内部，减小了封装厚度，增加了信号传输速率；通过选择合适的热膨胀系数数值的玻璃基板，减少了封装过程中基板的翘曲。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币，实缴资本34692.32万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1092条，此外企业还拥有行政许可53个。