格科微电子申请一种硅通孔形成方法及图像传感器专利，简化硅通孔工艺并增加工艺窗口

金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种硅通孔形成方法及图像传感器”的专利，公开号CN 119764252 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种硅通孔形成方法，包括：在栅极形成之前，于半导体衬底第一侧面的通孔区域外围形成隔离层；在后续的第二侧面减薄工艺中，使所述通孔区域与所述半导体衬底隔离；之后于所述通孔区域刻蚀形成硅通孔。本发明使通孔区域采用与像素区域类似的工艺，通过多晶硅和/或介质层与外部隔离，使通孔区域内的衬底浮置。同时，在硅通孔中填充金属材料之前，不需要对通孔侧壁做介质隔离，简化了侧壁介质沉积和底部刻蚀工艺，并能增加工艺窗口。

天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元，实缴资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息65条，专利信息1079条，此外企业还拥有行政许可40个。