首次采用EUV曝光技术，美光1γ制程DRAM开始出货

2月25日，美光（Micron）正式推出基于全新1γ（1-gamma）制程技术的16Gb DDR5存储器，这是美光首次采用极紫外光（EUV）曝光技术。新存储器不仅比前代产品具备更高效能、更低功耗，制造成本也有望进一步下降。此外，美光表示，其1γ制程技术（第六代10nm级节点）未来将应用于其他DRAM产品。

美光基于1γ制程的主力产品为16Gb DDR5存储器，在业界标准电压1.1V下运行时，资料传输速率达9200 MT/s。与前代1β制程的16Gb DDR5存储器相比，新款存储器耗电量降低20%，位元密度提升30%，当新芯片的良率达到1β16Gb DRAM的水平时，制造成本预计将下降。

美光指出，1γDRAM是继领先业界的1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM制程节点之后，再次树立的重大里程碑，并将有效赋能云端、工业与商业消费端及边缘AI设备（如AI PC、智能手机及汽车等）等未来运算平台。

图片来源：美光

虽然美光将其最新16Gb DDR5存储器标示为9200 MT/s，但此速度明显高于DDR5最新规范中的标准速率。美光强调，该芯片仍可在JEDEC规范的标准速度下正常运行，而较高的速度等级则可与未来CPU有一定兼容性。美光还指出，CUDIMM或基于CXL的存储器模块有望利用超越JEDEC标准的更高频率，且发烧级DIMM产品也可能采用这些新DRAM，打造突破10,000 MT/s的超频模块。

目前美光正与笔电和服务器制造商测试基于1γ制程的16Gb DDR5存储器芯片与模块，并进行抽样测试，预计将在一或两季内完成资格审核，意味着美光最新存储器产品有望2025年中旬开始进入市场。美光预期，台式电脑、笔记本电脑及服务器等所有类型的存储器模块都将采用这款新芯片。

随着时间推移，美光将利用1γ制程技术生产其他类型的存储器产品，包括GDDR7、LPDDR5X（最高可达9600 MT/s）以及资料中心级产品，使1γ节点成为公司核心技术主力。

美光1γ制程是该公司首次采用极紫外光（EUV）微影制程，其他领先的存储器制造商数年前就已导入EUV。虽然美光较晚采用，但1γ制程相较于现有产品线具备显著优势。

美光并未透露1γ制程使用多少层EUV，但推测主要是在关键层导入EUV微影技术，这些层若使用传统的多重曝光（multi-patterning）技术，将延长生产周期并影响良率。美光表示，1γ制程采用EUV搭配深紫外光（DUV）多重曝光技术，并引入新一代高介电常数金属闸极（High-K Metal Gate）与全新后段制程（Back-End-of-Line，简称BEOL）电路。

目前美光1γDRAM主要在日本晶圆厂生产，该厂于2024年安装美光首套EUV设备。随着1γ存储器产量提升，美光计划在日本与中国台湾晶圆厂增加更多EUV设备。

美光科技执行副总裁暨技术和产品执行长Scott DeBoer表示，美光运用其开发专有DRAM技术的专业知识，搭配EUV微影技术的策略性运用，形成顶尖1γ存储器的强大产品组合，以推动AI产业生态系统向前迈进。（文章来源：TechNews科技新报）