无锡翔域半导体取得离子注入机用防微振基座组件专利，操作简单快捷实用性高

金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，无锡翔域半导体有限公司取得一项名为“一种离子注入机用防微振基座组件”的专利，授权公告号 CN 222436930 U，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种离子注入机用防微振基座组件，属于防微振基座技术领域；包括防微振基座，所述防微振基座的上端内部放置有离子注入机本体，所述防微振基座的内部设置有固定机构，且固定机构左右对称设置有两组，所述固定机构包括限位板和抵接限位杆，所述抵接限位杆远离离子注入机本体的一端设置有转动块，所述转动块的中间设置有转杆，所述转杆的圆周表面设置有齿轮；通过设置的固定机构，在需要对离子注入机进行安装时，将离子注入机下端插入防微振基座内部，接着将抵接限位杆移出防微振基座，然后将抵接限位杆移动至离子注入机侧壁并抵接其上端侧面，完成离子注入机的固定工作，操作简单快捷，实用性高。

天眼查资料显示，无锡翔域半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本900万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡翔域半导体有限公司参与招投标项目17次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可9个。